日前，三星正式宣布推出名为Flashbolt的第三代HBM2（HBM2E）存储芯片。

第三代HBM2存储芯片单颗最大容量16GB，由16Gb的单Die通过8层堆叠而成，可实现16GB的封装容量，并确保3.2Gbps的稳定数据传输速度。

三星方面表示，新型16GB HBM2E特别适用于高性能计算（HPC）系统，并可帮助系统制造商及时改进其超级计算机、AI驱动的数据分析和最新的图形系统。

三星预计第三代HBM2存储芯片将在今年上半年开始量产。三星将继续提供第二代Aquabolt产品阵容，同时扩展其第三代Flashbolt产品。