去年，中芯国际表示将在四季度开启基于 14nm FinFET 制程的量产芯片。同时，该公司也在努力开发下一代主要节点（N+1），宣称具有可媲美 7nm 工艺的部分特性。与中芯国际自家的 14nm 制程相比，N+1 可在性能提升 20% 的同时降低 57% 的功耗、并将逻辑面积减少了 63% 。

资料图（来自：SMIC）

但实际上，中芯国际表示 N+1 并不等同于 7nm 技术。尽管新工艺可让 SoC 变得更小、更节能，但 N+1 带来的性能提升，仍无法与 7nm 竞品做到旗鼓相当。

有鉴于此，中芯国际将 N+1 定位于更具成本吸引力的芯片制造技术。该公司发言人称：“N+1 的目标是低成本应用，与 7nm 相比，其优势在 10% 左右”。

此外，中芯国际的 N+1 工艺并未使用极紫外光刻（EUVL），因此该晶圆厂无需从 ASML 购买其它昂贵的设备。

这并不说明该公司没有考虑过 EUV，其确有获得 EUV 步进扫描系统，但有报道称因美方施压而尚未安装，导致中芯国际只得等到 N+2 工艺时采用上 EUV 。

如果一切顺利，中芯国际有望在 2020 年 4 季度开始 N+1 制程的风险试产，并于 2021 或 2022 年转入大批量生产。