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Nexperia与联合汽车电子有限公司就氮化镓领域达成深度合作

满足新能源汽车动力系统不断提升的技术需求
发布时间:2021-03-12 21:52        来源:赛迪网        作者:

奈梅亨,2021年312日:基础半导体器件领域的专家Nexperia宣布与国内汽车行业主要供应商联合汽车电子有限公司(简称UAES)在功率半导体氮化镓(GaN)领域展开深度合作,旨在满足未来对新能源汽车电源系统不断提升的技术需求,共同致力于推动GaN工艺技术在中国汽车市场的研发和应用。

随着汽车电气化、5G通信、工业4.0市场的不断增长,基于GaN的主流设计正渐入佳境,势必推动2021年及未来功率半导体的需求增长。Nexperia GaN FET产品已与UAES在电动汽车的车载充电器、高压DC-DC直流转换器等项目中开展研发合作。Nexperia氮化镓工艺技术基于成熟可靠的量产工艺,极低的开关品质因数(RDS(on) x QGD)和反向恢复电荷(Qrr)支持高开关频率,同时提供较低的功耗和更高效的功率转换。Nexperia的全球自有化生产基地使我们能够向市场提供真正符合车规级AEC-Q101的产品。

联合汽车电子有限公司为客户提供先进的、完整的汽车动力总成和车身控制系统解决方案,从事汽油发动机管理系统、变速箱控制系统、车身电子、混合动力和电力驱动控制系统的开发、生产和销售。其位于上海、重庆、芜湖、柳州和苏州的五家技术中心拥有世界先进水平的整车、发动机、自动变速箱、电力驱动性能开发实验室,其先进的设备能有效为国内各汽车厂商提供优质的系统开发、零部件开发、标定等工程服务。

Nexperia的高层表示:“新能源汽车电源系统有望在未来主导半导体器件持续增长的市场需求,硅基氮化镓场效应晶体管的功率密度和效率将在汽车电气化应用中发挥关键作用。我们非常认可联合汽车电子有限公司在汽车行业宽广的产品线、行业地位和客户基础,相信我们在氮化镓领域的深入合作将使两家公司能为客户提供更为先进和高效的新能源汽车电源系统解决方案。上月初,我们宣布提高全球产量并增加研发支出,全力支持新产品开发,包括最近在上海开设了新的全球研发中心、扩大了香港的研发机构。我们有意愿加大投资,与UAES共同打造基于GaN工艺的联合实验室,携手推动GaN工艺技术在中国市场的研发和应用,支持我们在全球汽车领域的增长。”

联合汽车电子有限公司高层说到:“我们很高兴能与Nexperia这样汽车应用领域的领军半导体企业合作,发展基于GaN工艺的新能源汽车电源系统的创新解决方案。此举将帮助我们减少产品的器件使用数量、降低成本、提高功率密度和提升整个系统的可靠性及功效。”

有关更多信息,请访问:www.nexperia.com/about  

关于Nexperia

Nexperia,作为半导体基础元器件生产领域的高产能生产专家,其产品广泛应用于全球各类电子设计。公司丰富的产品组合包括二极管、双极性晶体管、ESD保护器件、MOSFET器件、氮化镓场效应晶体管(GaN FET)以及模拟和逻辑IC。Nexperia总部位于荷兰奈梅亨,每年可交付900多亿件产品,产品符合汽车行业的严苛标准。其产品在效率(如工艺、尺寸、功率及性能)方面获得行业广泛认可,拥有先进的小尺寸封装技术,可有效节省功耗及空间。

凭借几十年来的专业经验,Nexperia持续不断地为全球各地的优质企业提供高效的产品及服务,并在亚洲、欧洲和美国拥有超过12,000名员工。Nexperia是闻泰科技股份有限公司(600745.SS)的子公司,拥有庞大的知识产权组合,并获得了IATF 16949、ISO 9001、ISO 14001和OHSAS 18001认证。

Nexperia:效率致胜 。

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